Lista przedmiotów z materiałami udostępnionymi dla studentów

Dla_studentów
  • Increase font size
  • Default font size
  • Decrease font size

Maciej Otręba

Analiza porównawcza oraz badania symulacyjne układów sterowania tranzystorów IGBT


Comparative analysis and simulation investigation of the IGBT drivers


Opiekun pracy dyplomowej: prof. dr hab. inż. Witold Pawelski
Praca dyplomowa inżynierska obroniona 2010-10-11
Streszczenie pracy dyplomowej:
Niniejsza praca ma na celu analizę działania tranzystorów IGBT ze zwróceniem szczególnej uwagi na elementy sterowania. Opisane podstawowe parametry sterowników wraz z oznaczeniami stosowanymi na całym świecie, umożliwiają zrozumienie dokumentacji technicznej i zasad działania sterowników. Analiza zależności pomiędzy sterownikiem i tranzystorem IGBT, uzyskana za pomocą prostych symulacji w programie ICAP, przedstawia główny sposób kształtowania charakterystyk załączania i wyłączania tego typu tranzystorów. Aby lepiej zrozumieć problemy związane ze sterowaniem w układzie sterownik-tranzystor zasymulowano wpływ rezystancji w układzie sterowania na przebiegi napięć i prądów tranzystora IGBT. W zestawieniu tabelarycznym przedstawiono gamę różnego rodzaju sterowników jedno, dwu lub wielotranzystorowych. Zestawienia te pokazują możliwości sterowników oraz służą do porównania ich wybranych parametrów. Przedstawienie nowych rozwiązań w dziedzinie sterowania dowodzi, że dzięki prototypowym układom sterowników można podnieść efektywność i bezpieczeństwo działania tranzystorów. Wnioski wynikające z przeprowadzonych symulacji i analiz podkreślają zalety nowoczesnych metod sterowania.
Abstract:
The aim of this thesis is to analyse transistors IGBT activity, with paying special attention to control elements. Described basic drivers parameters and symbols used in all over the world, allow to understand technical documentation and principles of operation. The dependency analysis between driver and IGBT transistor, received during simple simulations in ICAP program, shows how the turn on and turn off characteristics are created. To better understand problems connected with driving in driver–transistor circuit, the resistance influence in circuit control on IGBT transistors voltages and currents diagram was simulated. Tables show the range of different one, two or manydriver transistors. These comparisons show the transistors possibilities and serve to compare their parameters. The presentation of new solutions in driving filed, shows, that thanks to prototype drivers circuit, transistors can work more efficiently and safely. Conclusions resulted from executed analysis and simulations, accent advantages of modern driving methods.